在近日举办的晶圆代工业务盛会上，Intel揭开了其工艺制程路线图的最新篇章，并分享了代工业务的最新动态。据Intel公布的数据，自2021年宣布“四年五个工艺节点”战略以来，至2024年的四年间，Intel在全球范围内投资了高达900亿美元。
在这笔庞大的投资中，约180亿美元被用于技术研发，旨在推动技术创新与突破；而370亿美元则流向了晶圆厂设备，以确保生产线的先进性和高效性。
Intel透露，其18A制程节点已进入风险试产的关键阶段，并有望在年内实现量产。而更令人期待的是，18A之后的下一代14A工艺制程，预计将在2027年前后步入风险生产阶段。14A工艺预计能带来15%至20%的能效提升，并且芯片密度将增加1.3倍，已有多个客户计划流片测试14A芯片。
与18A采用的PowerVia背面供电技术不同，14A将引入PowerDirect直接触点供电技术，这一变化有望进一步提升芯片的性能和能效。
Intel还揭晓了18A工艺的两个衍生版本——18A-P和18A-PT。其中，18A-P以卓越性能为亮点，其早期试验晶圆已开始生产，且与18A设计规则兼容。而18A-PT则是在18A-P的基础上进一步演进，可通过先进的Foveros Direct 3D封装技术与顶层芯片连接，实现混合键合互连间距小于5微米。Foveros Direct 3D封装技术已被台积电应用于生产中，消费者熟知的AMD 3D V-Cache产品便是其典型应用。
在成熟节点方面，Intel代工的首批基于16纳米制程的产品已正式进入晶圆厂生产流程。同时，Intel还在与主要客户洽谈合作开发12纳米节点及其演进版本的事宜，这一合作由UMC共同参与。
